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黑硅技术的要点是：通过将表面加工成长度为0.8μm左右的剑山形状，大幅减少了反射；背面电极型；在单元正面和背面形成防复合膜（钝化膜），从而减少了电子与空穴的载流子复合。
阿尔托大学从2012年前后开始开发这项技术。2012年10月达到了18.2％的转换效率，2013年4月提高到了18.7％。此次的试制品将转换效率又提高了3个百分点以上，达到22.1％。此次试制的太阳能电池单元比较大，面积为9cm2。此次能大幅提高转换效率的原因是，在单元表面形成防复合膜时，采用原子层沉积法形成了氧化铝层，并优化了该层的厚度等，从而大幅减少了载流子复合。此次采用的是厚度为20nm的氧化铝层。
这种太阳能电池采用了独特的表面加工技术，因此，在波长为500～800nm的范围内，电池表面的可见光反射率几乎低于0.5％。基于黑硅技术的太阳能电池非常适合在芬兰等高纬度地区使用。
